
功率二极管通常采用硅(Si)材料,通过扩散或外延工艺制造出PN结,具备良好的热稳定性和耐压特性。其封装形式多样,包括TO-220、TO-3P等,便于散热。
肖特基二极管使用金属(如铝、铂)与N型硅形成肖特基势垒,避免了传统二极管的少数载流子存储效应。这种结构使其在开启瞬间几乎无延迟,但金属-半导体界面容易受温度影响,导致漏电流上升。
在相同电流条件下,由于肖特基二极管的正向压降更低,其导通损耗显著低于功率二极管。例如,在10A负载下,肖特基二极管功耗可比普通功率二极管减少约50%以上,这对提升电源整体效率至关重要。
然而,当温度升高时,肖特基二极管的反向漏电流呈指数增长,可能导致局部过热甚至失效。相比之下,功率二极管的热稳定性更好,适合高温环境下的持续工作。
案例一:笔记本电脑电源适配器:采用肖特基二极管进行整流,因其工作频率高达数百kHz,需要极低的导通损耗,从而减小散热需求,实现小型化设计。
案例二:工业变频器输入整流桥:使用多个功率二极管组成整流桥,承受数千伏电压,虽然效率略低,但可靠性和耐压能力满足严苛工况。
综上所述,二者并非替代关系,而是互补关系。合理搭配使用,可在不同环节发挥各自优势,构建高效、稳定的电力电子系统。
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